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本文目录一览：
- 1、如何测量vds线上的电压信号
- 2、irf540n场效应管检验方法
- 3、如何测试判断场效应管好坏?
- 4、mos管用数字万用表怎么测其好坏及引脚?
- 5、电动车控制器mos管如何检测好坏
- 6、开关电源的驱动芯片内置mos管如何测得脉冲波形?
如何测量vds线上的电压信号
这个应该是你测试的问题吧，只要带宽远远大于mos管工作频率就可以了！不知道你的“相差较大”是怎么来的？如果是测导通压降，可能由于带宽不一样，会要高频噪声的差异。
）开启示波器电源开关预热并将各开关旋钮调到合适的位置。2）选择开关放在“ac”位置、调节辉度、聚焦、垂直水平位置。3）将输入信号通过探头送到输入端，调整波形到合适位置。
如果需要从fet的所有三个端子进行源和测量，fet的源极连接到两个smu通道的负极或可使用第三台smu。
信号线使用万用表比较难测试，根据信号不同会有多种情况出现，需要根据信号特征结合实际判断.普通万用表测量工频电压或电流时是准确的。这是设计结构决定的。
方法如下：1，用模拟示波器测量：先将要测量的信号输入到通道1或通道2，分别调节y轴灵敏度和扫描时间使波形在示波器上显示合适观测的幅度，并保证有一到两个周期。
irf540n场效应管检验方法
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。根据场效应管的pn结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
用测电阻法判别结型场效应管的电极。根据场效应管的pn结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极；用测电阻法判别场效应管的好坏。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
场效应管好坏判别方法：结型场效管的判别 将万用表置于rxlk档，用黑表笔接触假定为栅极g管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。若阻值均比较小(约5--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。
定性判断mos型场效应管的好坏 先用万用表r×10kω挡(内置有9v或15v电池)，把负表笔(黑)接栅极(g)，正表笔(红)接源极(s)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。
如何测试判断场效应管好坏?
是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极g1与栅极g2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
首先，静态参数是判断场效应管好坏的重要指标之一。静态参数包括漏极电流偏移、截止电流和开启电压等。漏极电流偏移是指即使没有输入信号时，场效应管的漏极电流是否可控。
如阻值均很大，属n沟道管，且黑表接触的管脚为栅极g，说明原先的假定是正确的。同样也可以判别出p沟道的结型场效应管。
可以用万用表测量场效应管的好坏。使用万用表二极管导通档，从左至右一般都是gds排列，量最右边管脚s到中间脚d是否正向导通，但不短路，量左边脚g与右边脚s是否相互不导通，如此则为好的n-mos。场效应管英文缩写为fet。
mos管用数字万用表怎么测其好坏及引脚?
\x0d\x0a\x0d\x0a2．判别其好坏 \x0d\x0a\x0d\x0a用万用表r×1k档或r×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。
测量5n60c好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5n60c的g极悬空，用红黑表笔分别接触5n60c的d-s两极，若是好的管子，万用表显示为“ol”，即溢出（见上图）。用数字万用表二极管档反向测量5n60c的d-s两极。
可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极g1与栅极g2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
电动车控制器mos管如何检测好坏
1、如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。（整体如图）根据上述方法，我们用万用表的r×100档，测结型场效应管3dj2f。
2、把红笔接到mos的源极s上，黑笔接到mos管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测mos管有漏电现象。
3、你只要用万用表导通档两两测量（不同型号，不同内阻），只要不短路，没击穿的一般就是好的。
4、mos管就是一个开关。字朝你，从左向右分别为输入 地 输出 你只要 用万用表导通档两两测量（不同型号，不同内阻），只要不导通，没击穿就好。
5、红表笔 控制器负极；黑表笔分别测试 三根控制器相线。三个相线测试结果相差5以内。
开关电源的驱动芯片内置mos管如何测得脉冲波形?
在将波形展开到合适位置，打开光标测量波形下降的时间即可。
地线夹300v的地啊，不过，被测开关电源必须用1：1的隔离变压器，不然示波器会烧。
这种电路框图看不到具体元器件的连接关系，也看不出地在哪？想测驱动波形就测mos管栅源之间的电压脉冲信号就ok。
（6）门驱动级和输出级 门驱动级（f）用于驱动功率开关管(mosfet)，使之按一定速率导通，从而将共模电磁干扰减至最小。漏源导通电阻与产品型号和芯片结温有关。